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电磁波屏蔽膜也叫EMI（ElectroMagnetic Interference-电磁干扰）保护膜或吸波材料。
目前用作 RFI（RF Interference-射频干扰）屏蔽的材料范围包括导电金属氧化物、金属网和纳米线等材料。
我司EMI/RFI屏蔽膜主要是铜材蚀刻加工后，通过压合于膜材上，主要是对产品内部线路起到减弱或消除电磁干扰/射频干扰的作用。
具有优良的电磁波屏蔽性能的柔性、薄、轻量的电磁波屏蔽膜，用于防止周围环境中的医疗器械、船舶、飞机等精密设备发生故障。
EMI/RFI屏蔽膜提供有效的电磁屏蔽和最佳的透明度（可见光透射率 >80%）。
EMI/RFI屏蔽膜上包含的铜网为 ITO 屏蔽提供了很好的替代品（更好的电阻和导电性）。事实上，ITO 技术是基于具有非常薄层的支撑金属化。该技术提供较低的电导率、较低的透明度和较高的氧化风险。这就是为什么我们更愿意提出这种基于 Cu Mesh 原理的 EMI 屏蔽膜。
| 测试项目 | 单位 | 产品特性 | 检验方法 | 备注 | ||
| 产品型号 | / | CNE******EMI-V*.* | / | / | ||
| 迭构 | 上保护层 | µm | 50 | 千分尺 | PE | |
| 铜网格层 | µm | 2 | 千分尺 | 表面黑化 | ||
| 基材 | µm | 100 | 千分尺 | PET | ||
| 下保护层 | µm | 50 | 千分尺 | PET | ||
| 网格图案 | / | 45°斜正方形 | / | / | ||
| 线距 | µm | 200 | 二次元 | 2X | ||
| 线宽 | µm | 9±3 | 二次元 | 2X | ||
| 透过率 | % | ＞80% | 分光测色仪 | 550nm | ||
| 面电阻 | Ω/□ | 0.2～0.4Ω | 四点探头 | / | ||
| 铜与基材附着力 | / | 5B | 百格刀测试 | / | ||
| 可靠性 | 高温高湿电阻变化率 | % | ≤10 | 恒温恒湿实验箱 | 温度85℃，湿度85℃，500H | |
| 高温高湿透过率变化率 | % | ≤10 | ||||
| 高温高湿电阻变化率 | % | ≤10 | 紫外老化箱 | 光源UVA-340， 辐照强度：0.89W/m2@320nm， 黑标温度：(70±2)℃， 辐照模式：全时间段照射 |
||
| 高温高湿电阻变化率 | % | ≤10 | ||||
产品由上保护膜（PE）+ 黑化层 + 铜网格层 + 基材（PET）+ 下保护层（PET）组合而成。
◆ 医院（核磁共振、肌电图和脑电图设备的屏蔽）；
◆ 工业开发实验室的屏蔽；
◆ 计算机的数据安全；
◆ 行政房间的屏蔽（防止通过麦克风或建筑物外的电子窃听器进行间谍活动）；
◆ 屏蔽杂散电磁辐射；
◆ 消费类电子产品（智能手机、平板电脑、触控面板、数码相机、液晶电视等）的电子信号屏蔽。
高低温测试
可达到-85℃到+85℃，极点环境下可正常使用；
环境测试：-80℃、100℃（沸水）、-235℃情况下测试产品功能正常。
循环弯曲测试
弯曲度数：从0~ 90~180度（循环弯曲），弯曲直径：4mm，8mm。
循环折叠测试
当弯曲直径为≦4mm时，弯曲角度从20度到180度循环折叠下能正常使用。
